國產劃片機 2023-02-28
劃片機是使用刀片，高精度地切斷硅?玻璃?陶瓷等被加工物的裝置，是半導體后道封測中晶圓切割和WLP切割環節的關鍵設備。隨著集成電路沿大規模方向發展，劃片工藝呈現愈發精細化、高效化的趨勢。從19世紀60年代采用劃線加工法依賴于人工操作的金剛刀劃片機，到1968年英國LP公司發明的金剛石砂輪劃片機采用研磨的工藝替代了傳統的劃線斷裂工藝，再到后續的自動化劃片機進一步提升了劃片的效率。目前劃片機廣泛用于半導體封測、EMC導線架、陶瓷薄板、PCB、藍寶石玻璃等材料的精密切割領域。
國產劃片機將設計好的電路苦頭雕刻在上面
半自動劃片機是指被加工物的安裝及卸載作業均采用手動方式進行，只有加工工序實施自動化操作的裝置，下面是國產劃片工藝分析：
1、工藝比較
刀片切割方法包括一次切割和分步連續切割。效率高、成本低、使用壽命長。它是使用最廣泛的切割工藝，在較厚的晶圓（>；100微米）上具有優勢。激光切割具有高精度和高速度。它主要適用于切割較薄的晶圓（<；100微米）。切割較厚的晶片時，存在高溫損壞晶片的問題，需要刀片進行二次切割。此外，激光頭價格昂貴，使用壽命短。目前，刀片切割占市場份額的80%，激光切割僅占20%。刀片切割預計將長期保持主流模式。
2、主流技術
金剛石切割是切割的主流技術。切割采用金剛石顆粒和粘結劑組成的刀片。切削過程中，金剛石顆粒以金屬鎳作為磨料顆粒固定在工具體上。刀片以一定的速度旋轉和進給，并使用水作為切削液。在切割過程中，金剛石顆粒膨脹并與粘合劑形成稱為“夾屑槽”的結構，鏟挖切割通道材料，然后將其分離。在切割過程中，金剛石顆粒不斷磨損，暴露出新的顆粒，保持刀片鋒利并清除切割碎屑。切割過程中產生的碎屑會粘附在刀片上，因此在切割過程中盡量防止切割碎屑粘附，并妥善處理切割碎屑，以確保刀片在切割過程中的正常運行。
對于金剛石切割，金剛石顆粒越大，刀片的切割能力越強，金剛石顆粒的磨損越慢，葉片使用壽命越長。但是，顆粒越大，切削過程對切削表面的影響越大，容易造成裂紋、崩邊等嚴重缺陷。較小的金剛石磨粒可以減少切割過程中對切割表面的影響，并減少出現較大切割缺陷的風險。但是，如果金剛石不能及時脫落和更新，很容易包裹刀具，導致刀片的切割能力急劇下降和嚴重缺陷。
刀體的金剛石顆粒濃度將顯著影響切割切屑的質量。當金剛石顆粒濃度較大時，金剛石顆粒會隨著粘結劑的磨損及時脫落和更新，有利于延長刀片的使用壽命。此外，粘結劑越軟，金剛石越容易脫落，反之亦然。因此，使用較硬的粘結料進行切割會對切割表面造成嚴重損壞，而較軟的粘結料沖擊較小，損壞較小。金剛石粒度和濃度的選擇應與粘結劑的類型相結合，并應綜合考慮。
3、切割劃片流程
芯片被晶圓切割成單獨的顆粒，然后被芯片封裝后即可使用。劃片時，應控制劃片刀的移動速度和劃片刀的旋轉速度。不同芯片的厚度和藍色薄膜的粘度需要有相應的匹配參數，以減少劃片過程中的碎片現象。切割過程中殘留的硅渣會損壞切割工具和切屑，導致成品率損失。切割過程中，需要用清水清洗以去除硅渣，并控制噴射角度和水量。
金剛石刀片以每分鐘30000-40000轉的高速切割晶圓塊。同時，承載晶片的工作臺沿刀片與晶片接觸點的切線方向以一定速度直線移動，切割晶片產生的硅片被分離器水沖走。為了在劃片過程中達到特殊的切屑表面保護效果，一些切屑需要在所有切割中切割兩次。此時，用于第一次切割的刀片相對較寬，用于第二次切割的刀片相對較窄。
4、影響切割質量的因素
影響晶圓切割質量的因素很多，包括材料、切割儀器、工作環境、切割方法等因素。從材料的角度來看，硅片的硅襯底和電路層材料在硅片切割過程中會導致不同的機械性能。不同材料的刀片的選擇會對切割方法有不同的要求，因此會表現出不同的切割質量。從切割儀器的角度來看，由于不同機器的切割功率不同，切割臺的選擇也會影響切割質量。從工作環境來看，冷卻水的壓力和流量是影響切削質量的因素。水流速度過慢會導致冷卻效果不足，切割摩擦產生的熱量難以及時排出和積累，可能導致金剛石磨粒破碎，降低刀片的切割能力和切割精度，并因切割碎屑無法及時清除而影響刀片的切割能力。從切割方式來看，主要涉及切割深度、刀片轉速和進給速度。適當的參數對于獲得良好的切削質量非常重要。其他因素，如機器操作技能，也會影響晶圓切割質量。
